|
1. R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, and A. R. LeBlanc, IEEE J. Solid-State Circuits 9, 256 (1974). 2. S. Asai and Y. Wada, Proc. IEEE 85, 505 (1997). 3. R. M. Wallace and G. D. Wilk, Crit. Rev. Solid State, 28, 231 (2003) 4. R. M. Wallace and G. D. Wilk, MRS. Bull., 27, 186 (2002) 5. S. H. Lo, D. A. Buchanan, Y. Taur, and W. Wang, IEEE Electron Dev. Lett., 18 209 (1997) 6. G. Timp, A. Agarwal, F. H. Baumann, T. Boone, M. Buonanno, R. Cirelli, V. Donnelly, M. Ford, D. Grant, M. Green, H. Gossmann, S. Hillenius, J. Jackson, D. Jackson, R. Kleiman, A. Kornblit, J. Sapjeta, P. Silverman, T. Sorsch, W. W. Tai, D. Tennant, H. Vuong, and B. Weir, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 930 (1997). 7. J. H. Stathis and D. J. Dimaria, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 167 (1998). 8. R. W. Mutro, M. I. Gardner, G. A. Brown, P. M. Zeitzoff, and H. R. Huff, Solid State Technol. 46, 43 (2003). 9. J. Robertson, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 28, 327 (2006). 10. L. Kang, B. H. Lee, W. J. Qi, Y. Jeon, R. Nieh, S. Gopalan, K. Onishi, and J. C. Lee, IEEE Electron Dev. Lett., 21, 181 (2000). 11. B. H. Lee, L. Kang, W. J. Qi, R. Nieh, Y. Jeon, K. Onishi, and J. C. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 133 (1999). 12. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature, 406, 1032 (2000). 13. K. J. Hubbard, and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996). 14. W. J. Zhu, T. P. Ma, S. Zafar, and T. Tamagawa, IEEE Electron Dev. Lett., 23, 597 (2002). 15. N. V. Skorodumova, R. Ahuja, S. I. Simak, I. A. Abrikosov, B. Johansson, and B. I. Lundqvist, Phys. Rev. B., 64, 115108 (2001). 16. J. C. Wang, Y. P. Hung, C. L. Lee, and T. F. Lei, J. Electrochem. Soc., 151, F17 (2004). 17. Y. Nishikawa, T. Yamaguchi, M. Yushiki, H. Satake, and N. Fukushima, Appl. Phys. Lett., 81, 4386 (2002). 18. V. A. Rozhkov, V. P. Goncharov, and A. Y. Trusova, Proceedings of the 1995 IEEE Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, 552 (1995). 19. V. A. Rozhkov, A. I. Petrov, V. P. Goncharov, and A. Y. Trusova, Proceedings of the 1995 IEEE Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, 418 (1995). 20. V. A. Rozhkov, A. Y. Trusova, and I. G. Berezhnoy, Thin Solid Films, 325, 151 (1998). 21. K. H. Kim, H. J. Won, and J. S. Choi, J. Phys. Chem. Solids, 45, 1259 (1984). 22. A. A. Dakhel, J. Alloy. Comp., 365, 233 (2004). 23. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei, IEEE Electron Dev. Lett., 21, 341 (2000). 24. C. H. Hsu, M. T. Wang, and J. Y. –M. Lee, J. Appl. Phys., 100, 1 (2006). 25. C. H. Lee, ,J. S. Sim, C. S. Kang, Jang-Sik Lee, Juhyung Kim, Yoocheol Shin, Ki-Tae Park, Sanghun Jeon, Jongsun Sel, Yungseok Jeong, Byeongin Choi, Viena Kim, Wonseok Jung, Chung-Il Hyun, Jungdal Choi, and Kinam Kim, Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, 54 (2006). 26. C. H. Lee, K. I. Choi, M. K. Cho, Y. H. Song, K. C. Park, and K. N. Kim, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 613 (2003). 27. Y. W. Park, J. D. Choi, C. S. Kang, C. H. Lee, Y. C. Shin, B. H. Choi, J. H. Kim, S. H. Jeon, J. S. Sel, J. T. Park, K. H. Choi, T. H. Yoo, J. S. Sim, and K. N. Kim, Int. Electron Dev. Meet., 29 (2006). 28. C. H. Lee, J. D. Choi, C. S. Kang, Y. C. Shin, B. H. Choi, J. H. Kim, S. H. Jeon, J. S. Sel, J. T. Park, K. H. Choi, T. H. Yoo, J. S. Sim, and K. N. Kim, 2006 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers, 21 (2006). 29. S. C. Lai, H. T. Lue, M. J. Yang, J. Y. Hsieh, S. Y. Wang, T. B. Wu, G. L. Luo, C. H. Chien, E. K. Lai, K. Y. Hsieh, Rich Liu, and C. Y. Lu, 2007 22th Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, 26 (2007) 30. S. Y. Wang and H. T. Lue, IEEE Trans. on Dev. and Mater. Reliab., 8, 2 (2008). 31. H. T. Lue, S. Y. Wang, Y. H. Hsiao, E. K. Lai, L. W. Yang, T. H. Yan, K. C. Che, K. Y. Hsieh, Rich Liu, and C. Y. Lu, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 346822 (2006). 32. C. H. Lai, C. C. Huang, K. C. Chiang, M. J. Yang, J. Y. Hsieh, S. Y. Wang, T. B. Wu, G. L. Luo, C. H. Chien, E. K. Lai, K. Y. Hsieh, Rich Liu,, and C. Y. Lu, Device Research Conference Digest, 1, 99 (2005). 33. Albert Chih, C. C. Laio, C. Chen, C. Chiang, D. S. Yu, W. J. Yoo, G. S. Samudra, T. Wang, I. J. Hsieh, S. P. McAlister, and C. C. Chi, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 165 (2005). 34. X. G. Wang, J. Liu, W. P. Bai, and D. L. Kwong, IEEE Trans. on Electron Dev., 51, 4 (2004) 35. Y. Q. Wang, W. S. Hwang, G. Zhang, G. Samudra, Y. C. Yeo, and W. J. Yoo, IEEE Trans. on Electron Dev., 54, 10 (2007). 36. C. Lee, A. Gorur-Seetharam, and E. C. Kan, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 557 (2003) 37. Z. Tan, S. Samanta, W. Yoo, and S. Lee, Appl. Phys. Lett., 86, 013107 (2005). 38. J. Lee, Y. Harada, J. Pyun, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 86, 103505 (2005). 39. T. C. Chang, P. T. Liu, S. T. Tan, and S. M. Sze, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G71 (2005). 40. S. Samanta, Z. Tan, W. Yoo, G. Samudra, S. Lee, L. Bera, and N. Balasubramanian, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 2278 (2005). 41. Moore G E, Electronics 38 114-117 (1965). 42. See Moore’s law at http://www.intel.com/technology/mooreslaw/index.htm 43. M. Depas, B. Vermeire, P. W. Mertens, R. L. Van Meirhaeghe, and M. M. Heyns, Solid-State Electron., 38, 1465 (1995). 44. S. H. Lo, D. A. Buchanan, Y. Taur, and W. Wang, IEEE Electron Dev. Lett., 18, 209 (1997). 45. E. Harari, J. Appl. Phys., 49, 2478 (1978). 46. D. J. DiMaria and E. Cartier, J. Appl. Phys., 78, 3883 (1995). 47. J. H. Stathis, J. Appl. Phys., 86, 5757 (1999). 48. R. Chau, INFOS 2005 presentation. 49. D. M. Hausmann, E. Kim, J. Becker, and R. G. Gordon, Chem. Mater., 14, 4350 (2002). 50. J. Robertson, P. W. Peacock, in: M. Houssa (Ed.), High-κ Gate Dielectrics, IOP, London, p. 372, 2003. 51. J. Robertson, MRS Bulletin, Mar. 217 (2002). 52. See on line: http://www.forbes.com/global/2002/0624/030.html 53. Fujio Masuoka, US Patent 4531203. 54. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York, 1981. 55. 賴昇志,清華大學博士論文 (2008) 56. M. Noguchi, T. Yaegashi, H. Koyama, M. Morikado, Y. Ishibashi, S. Ishibashi, K. Ino, K. Sawamura, T. Aoi, T. Maruyama, A. Kajita, E. Ito, M. Kishiba, K. Kanda, K. Hosono, S. Miyamoto, F. Ito, Y. Hirata, G. Hemink, M. Higashitani, A. Mak, J. Chen, M. Koyanagi, S. Ohshima, H. Shibata, H. Tsunoda, and S. Tanaka, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 445 (2007). 57. Toshiharu Watanabe, IEDM Short Course 2008. 58. K. N. Kim, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 323 (2005). 59. K. N. Kim, J. H. Choi, J. D. Choi, and H. S. Jeong, IEEE VLSI-TSA Int. Sympo. 88 (2005). 60. H. A. R. Wegener, A. J. Lincoln, H. C. Pao, M. R. O'Connell, and R. E. Oleksiak, presented at the Int. Electron Dev. Meet., 1967. 61. A. Kanjilal, J. L. Hansen, P. Gaiduk, A. N. Larsen, N. Cherkashin, A. Claverie, P. Normand, E. Kapelanakis, D. Skarlatos, and D. Tsoukalas, Appl. Phys. Lett. 82, 1212 (2003). 62. Y. C. King, T. J. King, and C. Hu, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 115 (1998). 63. Z. Zhang, B. Xia, W. L. GladFelter, and S. A. Campbell, J. Vac. Sci. & Tech. A, 24, 418 (2006). 64. H. B. Bhandari, P. Chen, and T. M. Klein, Mater. Res. Soc., 811, 241 (2004). 65. Q. Fang, J. –Y. Zhang, Z. M. Wang, J. X. Wu, B. J. O’Sullivan, P. K. Hurley, T. L. Leedham, H. Davies, M. A. Audier, C. Jimenez, J. –P. Senateur, and I. W. Boyd, Thin Solid Films, 427, 391 (2003). 66. P. Chen, H. B. Bhandari, and T. M. Klein, Appl. Phys. Lett., 85, 1574 (2004). 67. M. Losurdo, M. M. Giangreqorio, M. Luchena, P. Capezzuto, G. Bruno, D. Barreca, A. Gasparotto, and E. Tondello, Mater. Res. Soc. Symposium Proceedings, 786, 227 (2004). 68. J. Aarik, A. Aidla, A. Kikas, T. Käämbre, R. Rammula, P. Ritslaid, T. Uustare, and V. Sammelselg, Appl. Surf. Sci., 203, 292 (2004). 69. K. Forsgren, A. Hårsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder, and J. Olsson, J. Electrochem. Soc., 149, F139 (2002). 70. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition., 8, 199 (2002). 71. G. Papoian, J. K. Norskov, and R. Hoffmann, J. Am. Chem. Soc., 122, 4129 (2000). 72. K. Kukli, M. Ritala, J. Lu, A. Håsta, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc., 149, F18 (2002). 73. M. T. Ho, Y. Wang, R. T. Brewer, L. S. Wielunski, Y. J. Chabal, N. Moumen, and M. Boleslawski, Appl. Phys. Lett., 87, 133103 (2005). 74. J. H. Lee, J. P. Kim, J. H. Lee, Y. S. Kim, H. S. Jung, N. I. Lee, H. K. Kang, K. P. Suh, M. M. Jeong, K. T. Hyun, H. S. Baik, Y. S. Chung, X. Liu, S. Ramanathan, T. Seidel, J. Winkler, A. Londergan, H. Y. Kim, J. M. Ma, and N. K. Lee, Dig. Int. Electron Dev. Meet., 221 (2002). 75. Y. Kim, J. Koo, J. Han, S. Choi, H. Jeon, and C. Park, J. Appl. Phys., 92, 5443 (2002). 76. J. Hauser, CVC ○c1996 NCSU software, Department Elect. Comput. Eng. North Carolina State University, Raleigh, NC. 77. F. Stren and W. E. Howard, Phys. Rev., 163, 816 (1967). 78. A. Haque and M. Z. Kauser, IEEE Trans. on Electron Dev., 49, 1580 (2002). 79. S. Mudanai, L. F. Register, A. F. Tasch, and S. K. Banerjee, IEEE Electron Dev. Lett., 22, 145 (2001). 80. F. Li, S. Mudanai, L. F. Register, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. on Electron Dev., 52, 1148 (2005). 81. B. Cheng, M. Cao, R. Rao, A. Inani, P. Vande Voorde, W. M. Greene, J.M.C. Stork, Z. Yu, P. M. Zeitzoff, and J.C.S. Woo, IEEE Trans. on Electron Dev., 46, 1537 (1999). 82. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett., 81, 3014 (1998). 83. K. Eisenbeiser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, A. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Slame, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett., 76, 1324 (2000). 84. L. Kang, K. Onishi, Y. Jeon, B. H. Lee, C. Kang, W. J. Qi, R. Nieh, S. Gopalan, R. Choi, and J. C. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 35 (2000). 85. K. J. Choi, J. B. Park, and S. G. Yoon, J. Electrochem. Soc., 150, F75 (2005). 86. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001). 87. J. Schaeffer, N. V. Edwards, R. Liu, D. Roana, B. Hradsky, R. Gregory, J. Kulik, E. Duda, L. Contreras, J. Christiansen, S. Zollner, P. Tobin, B. Y. Nguyena, R. Nieha, M. Ramon, R. Rao, R. Hedge, R. Rai, J. Baker, and S. Voight, J. Electrochem. Soc., 150, F67 (2003). 88. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996). 89. G. D. Wilk, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett., 74, 2854 (1999). 90. S. Zaima, N. WaKai, T. Yamauchi, and Y. Yasuda, J. Appl. Phys., 74, 6703 (1993). 91. O. Renault, D. Samour, J. –F. Damlencourt, D. Blin, F. Martin, S. Marthon, N. T. Barrett, P. Besson, Appl. Phys. Lett., 81, 3627 (2002). 92. J. –F. Damlencourt, O. Renault, D. Samour, A. –M. Papon, C. Leroux, X. Garros, F. Martin, S. Marthon, and M. –N. Séméria, Solid-State Electron., 47, 1613 (2003). 93. Raghavasimhan Sreenivasan, Paul C. Mclntyre, Hyoungsub Kim, and Krishna C. Saraswat, Appl. Phys. Lett., 89, 112903 (2006). 94. H. J. Yang, C. F. Cheng, W. B. Chen, S. H. Lin, F. S. Yeh, and Sean P. MacAlister, IEEE Trans. on Electron Dev., 55, 6 (2008). 95. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Flommer, and D. Finzi, IEEE Electron Dev. Lett., 543 (2000). 96. H. T. Lue, S. Y. Wang, E. K. Lai, Y. H. Shih, S. C. Lai, L.W. Yang, K. C. Chen, J. Ku, K. Y. Hsieh, R. Liu, and C. Y. Lu, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 547 (2005). 97. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, W. Chan, and D. Buchanan, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 521 (1995) 98. J. J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu, J. Liu, and D. L. Kwong, IEEE Trans. on Electron Dev., 50, 2067 (2003). 99. S. Choi, M. Cho, H. Hwang, and J. W. Kim, J. Appl. Phys., 94, 5408 (2003). 100. C. C. Wang, Y. K. Chiou, C. H. Chang, J. Y. Tseng, L. J. Wu, C. Y. Chen, and T. B. Wu, J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 1673 (2007). 101. C. C. Wang, C. S. Liang, J. Y. Tseng, and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 90, 182101 (2007). 102. K. Konstantin. Likharev, Appl. Phys. Lett., 73, 2137 (1998). 103. P. Blomme, J. Van Houdt, and K. De Meyer, IEEE Trans. on Dev. and Mater. Reliab., 4, 345 (2004). 104. K. S. Seol, S. J. Choi, J. Y. Choi, E. J. Jang, B. K. Kim, S. J. Park, D. G. Cha, I. Y. Song, J. B. Park, Y. Park, and S. H. Choi, Appl. Phys. Lett., 89, 083109 (2006). 105. Y. Q. Wang, W. S. Hwang, G. Zhang, Y. –C. Yeo, and W. J. Yoo, IEEE Trans. on Electron Dev., 54, 2699 (2007). 106. Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C. Kan, IEEE Trans. on Electron Dev., 49, 1606 (2002). 107. Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C. Kan, IEEE Trans. on Electron Dev., 49, 1614 (2002). 108. P. Cappelletti, C. Golla, P. Olivo, and E. Zanoni, “Flash Memory”, Norwell, MA: Kluwer (1999). 109. C. C. Wang, J. Y. Wu, Y. K. Chou, C. H. Chang, and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 91, 202110 (2007). 110. M. Lenzlinger, and E. H. Snow, J. Appl. Phys., 40, 278 (1969). 111. C. W. Cheng, Y. C. Tseng, T. B. Wu, and L. J. Chou, J. Mater. Res., 19, 1043 (2004). 112. T. Watanabe, H. H. Funke, R. Torres, M. W. Raynor, J. Vininski, and V. H. Houlding, J. Cryst. Growth, 248, 67 (2003). 113. C. C. Cheng, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 93, 031902 (2008). 114. S. Oda, H. Tokunaga, N. Kitajama, J. Hanna, I. Shimizu, and H. Kokado, Jpn. J. Appl. Phys., 24, 1607 (1985). 115. D. A. Lamb, and S. J. C. Irvine, J. Cryst. Growth, 273, 111 (2004). 116. E. Fredriksson, and K. Forsgren, Surf. Coat. Tech., 88, 255 (1996). 117. R. Ohba, N. Sugiyama, K. Uchide, J. Koga, and A. Toriumi, Tech. Dig. Int. Electron Dev. Meet., 313 (2000). 118. T. Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talelaev, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett., 87, 202110 (2005).
|